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        功放管
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        BLF278

        NXP射頻功放管BLF278

        VHF push-pull power MOS transistor

        Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT262A1 balanced flange package with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors

        特性和優勢

        • High power gain
        • Easy power control
        • Good thermal stability
        • Gold metallization ensures excellent reliability

        應用

        • Broadcast transmitters in the VHF frequency range.

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